1）濕度對電參數惡化的影響

        陶瓷介質(zhì)的老化大大降低了芯片電容器的介電強度，并可能導致芯片電容器擊穿。因此，這種陶瓷芯片電容器的電解擊穿要比不含二氧化鈦的陶瓷介質(zhì)片式電容器嚴重。

        該貼片電容器電極的邊緣電場(chǎng)畸變的銀離子遷移，因為陶瓷介質(zhì)表面凝高濕度的環(huán)境中的水膜，貼片電容邊緣表面科羅娜啤酒電壓明顯降低，表面閃絡(luò )現象的產(chǎn)生與工作條件。在嚴重的情況下，芯片電容器表面的電弧擊穿極為顯著(zhù)。表面擊穿是芯片電容結構，相關(guān)的電極間距離、負載電壓、保護層、吸濕透氣疏水性。當空氣濕度過(guò)高時(shí)，水膜凝結在芯片電容器外殼的表面，降低了芯片電容器的表面絕緣電阻。

        另外，對于半封閉結構的片式電容器，水可以滲透到片式電容介質(zhì)中，降低了片式電容器介質(zhì)的絕緣電阻和絕緣能力。因此，高溫高濕環(huán)境對片式電容器參數惡化的影響是非常顯著(zhù)的。經(jīng)干燥、除濕、芯片電容器電性能可以得到改善，但水分子電解不能根除的后果。例如，貼片電容器在高溫條件下工作，電解氫離子（H＋）和羥基離子（oh）的電場(chǎng)中的水分子，導致電化學(xué)腐蝕的根源。即使烘干機是濕的，也不可能恢復鉛。

        2）銀離子遷移的后果

        大多數無(wú)機介質(zhì)片式電容器是由銀電極制成的，而半密封貼片電容器在高溫下工作，并穿透芯片電容器內部的水分子產(chǎn)生電解。通過(guò)陽(yáng)極氧化反應，銀離子和氫氧根離子結合生成氫氣生成氧化銀，在氫和氫離子的陰極反應中還原反應生成銀和銀水。由于電極反應，陽(yáng)極的銀離子不斷還原為陰極，金屬銀粒子通過(guò)水膜與陽(yáng)極相連。銀離子遷移不僅發(fā)生在無(wú)機介質(zhì)表面，而且擴散到無(wú)機介質(zhì)中，使泄漏電流增大。在嚴重的情況下，兩個(gè)銀電極之間的短路會(huì )導致芯片電容器的擊穿。

        3）陶瓷芯片電容器在高溫下的擊穿機理

        高濕度環(huán)境下半封閉陶瓷片式電容器的擊穿失效是一個(gè)嚴重的問(wèn)題。擊穿現象可分為兩類(lèi)：介質(zhì)擊穿和表面閃絡(luò )。根據介電擊穿發(fā)生的時(shí)間可分為兩種故障和故障的早期老化，早期故障暴露的電容器介質(zhì)材料和生產(chǎn)工藝的缺陷，這些缺陷導致陶瓷介電強度顯著(zhù)下降，因此，在高濕度的領(lǐng)域，在測試的早期或工作壓力SMD電容器擊穿。大多數老化故障屬于電化學(xué)故障類(lèi)別。